日期：2023-11-03 16:49
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這幾年我們在蘇州，大連以及無錫的客戶群體，需要將8寸晶圓外表面均勻加熱到一定溫度，對加熱要求極高，以實現加熱后在下一工序中達到更好的效果。
紅外線加熱具有高效、均勻、可控和非接觸的特點，適用于各種硅片的加熱需求。因此客戶選用了我們的紅外線輻射加熱器（朗普紅外線加熱數據庫以及光學運算，優化了熱源燈絲內部發光體結構、反光板結構以及陣列布燈，使被加熱表面接受均值的紅線輻射能量，有效降低了溫度不均帶來的不良工藝質量問題）。
客戶加熱要求：
1、在直徑φ200加熱范圍內溫度均勻性盡量高，溫度一致性≤±6℃
2、出具加熱模擬方案及熱分布模擬結果報告。
3、加熱迅速，300秒內加熱對象，能快速升溫200至400℃。
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于是我們根據客戶需求量身定制了加熱方案：
1，通過優化燈絲熱能分布結構，做到類矩形加熱（常規為雙尖形），減少中間聚熱，兩頭冷的不均勻熱場現象；
2，并通過朗普數據庫+光學運算，得出陣列布燈距高比；
3，通過背面弧形光學反光曲率設計，進一步修正輻照場的均勻度；
4，通過電控系統和非接觸式測溫探頭，進行閉環控制，進一步減少溫度過沖或者加熱不足導致的工藝問題。
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